分野別プログラム

領域4

21日 B31会場 21aB31 9:30〜11:45

領域4
量子ドット(理論)

1
三角形三重量子ドット近藤系における反対称スピン軌道相互作用とスピン電荷制御
静岡大教育, 静岡大理A, 明大理工B
古賀幹人, 松本正茂A, 楠瀬博明B
2
結合非対称な近藤ドットの電流ノイズ
東大物性研, 大阪市大A, 大阪大B, パリ南大C
阪野塁, 小栗章A, 秦徳郎B, 寺谷義道A, Meydi FerrierC, 荒川智紀B, 小林研介B
3
磁場中のカーボンナノチューブ量子ドットにおける近藤効果:NRGによるコンダクタンスとスペクトル関数の温度依存性
大阪市大理
寺谷義道, 小栗章
4
磁場中の非平衡Anderson模型におけるFermi液体補正
大阪市大理
小栗章

休憩 (10:30〜10:45)

5
カーボンナノチューブにおけるトポロジカル相転移II
慶大理工, 東北大理A
奥山倫, 泉田渉A, 江藤幹雄
6
情報流および熱流揺らぎの透過率依存性
三重大工
内海裕洋
7
単一準位量子ドットを介した断熱温度ポンピングにおけるクーロン相互作用の効果
東大物性研
長谷川雅大, 加藤岳生
8
Excitonic Aharonov-Bohm effect in QD-on-Ring nanostructures
物材研A, 筑波大B
Yuanzhao YAOA, Martin ELBORGA, 黒田隆A, 迫田和彰A, B

21日 B32会場 21aB32 9:00〜12:45

領域4
トポロジカル半金属
(理論)

1
アクシオンドメインによる電磁場応答
名大工
今枝立至, 川口由紀
2
ワイル半金属における特異な表面プラズモンとバルク伝搬波
東理大, 首都大A, 産総研B, CRESTC
小鍋哲, 土川航太A, 山本貴博, 川畑史郎B, C
3
ノンシンモルフィック対称性による擬似クラマース対と、フィリングに基づくノーダルライン半金属
東工大理A, 理研CEMSB, 東工大元素戦略研究セC
高橋亮A, 平山元昭B, 村上修一A, C
4
単一成分分子性結晶[Pd(dddt)2]の圧力誘起ディラック・ノーダルライン半金属状態とトポロジカル相転移 -第一原理計算による研究-
物材機構, 金沢大自然A, 金沢大数物B, 理研C
圓谷貴夫, 澤端日華瑠A, 石井史之B, 木野日織, 加藤礼三C, 宮崎剛
5
スピンレス系におけるノーダルライン半金属とワイル半金属の一般的な相転移
東工大理A, 東工大TIESB
奥川亮A, 村上修一A, B
6
点群により保護された交差ラインノード半金属
名大工A, 名大高等研B, 名大理C
小林伸吾A, B, 山川洋一B, C, 山影相B, C, 井ノ原拓実A, 岡本佳比古A, B, 田仲由喜夫A

休憩 (10:30〜10:45)

7
トポロジカルディラック半金属における磁気応答
東北大金研
大湊友也, 巽洲太, 野村健太郎
8
磁場乱れのあるトポロジカル絶縁体・ワイル半金属における量子輸送
東北大金研
小林浩二, 高垣雅紀, 大湊友也, 野村健太郎
9
反強磁性ワイル金属における異常ホール効果と自発軌道磁化
東北大金研
伊東直洋, 野村健太郎
10
Weyl強磁性体における異常熱Hall効果
理研CEMS
下出敦夫
11
非シンモルフィック対称性に保護された2次元ディラック半金属におけるバレー依存トンネル伝導
阪大理
羽部哲朗
12
乱れたディラック/ワイル半金属における量子拡散II
上智大理工A, 東北大金研B
和田未来A, 小林浩二B, 大槻東巳A
13
マルチターミナル磁性ワイル半金属における量子伝導
東北大金研
高垣雅紀, 小林浩二, 野村健太郎
14
トポロジカルディラック電子系におけるスピン注入による量子輸送現象
東大物性研, 東北大金研A
三澤貴宏, 野村健太郎A

21日 C20会場 21aC20 9:00〜12:30

領域7,領域4合同
遷移金属カルコゲナイド

1
TiSe2超薄膜における電子構造のキャリア量依存性
東北大WPI-AIMRA, 東北大CSRNB, 東北大院理C
菅原克明A, B, 中田優樹C, 梅本侑輝C, 佐藤宇史B, C, 高橋隆A, B, C
2
空間反転対称性の破れた原子層NbSe2の高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, 東大院理D, 東工大院理工E
中田優樹A, 菅原克明B, C, 一ノ倉聖D, 岡田佳憲B, 一杉太郎E, 是常隆A, 長谷川修司D, 佐藤宇史A, C, 高橋隆A, B, C
3
原子層1T-VSe2の高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC
梅本侑輝A, 中田優樹A, 菅原克明B, C, 佐藤宇史A, C, 高橋隆A, B, C
4
遷移金属カルコゲナイド・ファンデルワールスエピタキシー
東大院工, 理研CEMSA
中野匡規, 王越, 柏原悠太, 岩佐義宏A
5
Transport properties of single-crystalline 1T-TiSe2 epitaxial thin films
Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo, RIKEN CEMSA
Y. Wang, M. Nakano, Y. Kashiwabara, M. YoshidaA, and Y. IwasaA
6
IV-VI族遷移金属カルコゲナイド薄膜ヘテロ界面における電気伝導
東大院工, 理研CEMSA
柏原悠太, 中野匡規, 王越, 岩佐義宏A

休憩 (10:30〜10:45)

7
遷移金属ダイカルコゲナイドにおける非線形光学応答理論 II
産総研A, CRESTB, 東理大C
玉谷知裕A, B, 小鍋哲C, 川畑史郎A, B
8
WS2ナノチューブにおける光電気応答
東大院工A, 阪大産研B, Max-Planck-Inst.C, ローレンス・バークレー国立研D, Holon Inst. of Tech.E, ワイツマン科学研F, 理研CEMSG
恩河大A, 張奕勁B, C, Qin FengA, Shi WuD, Alla ZakE, Reshef TenneF, Jurgen SmetC, 岩佐義宏A, G
9
Diameter dependence of superconductivity by ionic liquid gating in WS2 nanotube
The Univ. of TokyoA, Lawrence Berkeley Nat’l. Lab.B, Holon Inst. of Tech.C, Weizmann Inst. of Sci.D, RIKEN CEMSE
F. QinA, T. IdeueA, W. ShiB, M. YoshidaA, A. ZakC, R. TenneD, T. KikitsuE, D. InoueE, D. HashizumeE, Y. IwasaA, E
10
電解質を用いた単層遷移金属ダイカルコゲナイド発光素子
名大工, 京大エネ研A, 首都大理工B, KAUSTC
蒲江, Zhang WenjinA, 松岡拓史, 小林佑B, 高口祐平B, 宮田耕充B, Lain-Jong LiC, 松田一成A, 宮内雄平A, 竹延大志
11
遷移金属二硫化物によるグラフェンへのスピン軌道相互作用の誘起II
パリ南大, インペリアルカレッジ・ロンドンA, C2NB
若村太郎, Sophie Gueron, Cecilia MatteviA, Abdelkarim OuerghiB, Helene Bouchiat
12
少数層MoS2ナノメッシュの細孔エッジ磁性
青学大理工A, 東大物性研B
峰彰秀A, 工藤浩章A, 橋本義昭B, 近藤彦A, 横山直A, 大畠智恵A, 初田雅博A, 勝本信吾B, 春山純志A, B
13
IrTe2二次元結晶の超伝導転移
東大院工A, 理研CEMSB, 岡大基礎研C
吉田将郎A, B, 工藤一貴C, 野原実C, 岩佐義宏A, B

21日 B31会場 21pB31 13:30〜16:15

領域4(前半(1〜4番目)のみ領域1と合同)
量子ドット(実験)

1
(チュートリアル講演)最近の半導体量子ドット・スピン量子ビット研究を理解するための基礎知識
理化学研究所(RIKEN)
大野圭司
2
フィードバック制御による電子スピン位相緩和の抑制 I
理研CEMS, 東大物工A, Collège de FranceB, Ruhr-Univ. BochumC, Univ. of BaselD
中島峻, 川崎賢人A, 野入亮人, 米田淳, P. Stano, 大塚朋廣, 武田健太, M.R. DelbecqB, G. Allison, A. LudwigC, A.D. WieckC, D. LossD, 樽茶清悟A
3
フィードバック制御による電子スピン位相緩和の抑制II
理研CEMS, 東大物工A, Collège de FranceB, Ruhr-Univ. BochumC, Univ. of BaselD
野入亮人, 川崎賢人A, 中島峻, 米田淳, P. Stano, 大塚朋廣, 武田健太, M.R. DelbecqB, G. Allison, A. LudwigC, A.D. WieckC, D. LossD, 樽茶清悟A
4
同位体制御Si/SiGe単一電子スピンの1/f電荷揺らぎによる位相雑音
理研CEMS, 東工大A, 東大生研B, 名大工C, 慶大理工D
米田淳, 武田健太, 大塚朋廣, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, Giles Allison, 本田拓夢A, 小寺哲夫A, 小田俊理A, 星裕介B, 宇佐美徳隆C, 伊藤公平D, 樽茶清悟

休憩 (15:00〜15:15)

5
SiGe自己形成量子ドットにおける近藤効果の観測
阪大産研A, レーゲンスブルグ大B, 阪大CSRNC
敷島稜紀A, 木山治樹A, 川口紀俊A, Mario BamesreiterB, Dominique BougeardB, 大岩顕A, C
6
GaAs横型量子ドットにおける光学的スピン閉塞効果を用いた量子状態転写の実証.2
東大工, Lehrstuhl für Angewandte Festrkorperphysik Ruhr-Universität BochumA, 阪大産研B, 理研CEMSC
黒山和幸, Marcus Larsson, 部谷謙太郎, 松尾貞茂, 藤田高史, Sascha R. ValentinA, Arne LudwigA, Andreas D. WieckA, 大岩顕B, 樽茶清悟 , C
7
量子ドット-電極結合系における電荷・スピンダイナミクス
理研CEMS, Ruhr-Univ. BochumA
大塚朋廣, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, Peter Stano, 天羽真一, 米田淳, 武田健太, Giles Allison, 野入亮人, 伊藤匠, Daniel Loss, Arne LudwigA, Andreas D. WieckA, 樽茶清悟
8
二重量子ドットにおけるファノ効果の観測
産総研A, 阪大理B
則元将太A, B, 中村秀司A, 岡崎雄馬A, 金子晋久A, 浅野建一B, 小林研介B

21日 B32会場 21pB32 13:30〜17:00

領域4(13番目のみ領域3と合同)
トポロジカル半金属・絶縁体
(実験)

1
トポロジカルノーダル半金属ZrSiS単結晶の磁気輸送特性
東工大フロンティア研
村瀬正恭, 笹川崇男
2
トポロジカル線ノード半金属ZrGeXc (Xc = S, Se, Te)の高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大CSRNB, 東北大WPI-AIMRC, 阪大産研D, ケルン大E
中村剛慶A, 高根大地A, 追沼暉A, 相馬清吾B, C, 中山耕輔A, 山内邦彦D, 小口多美夫D, 佐藤宇史A, B, 高橋隆A, B, C, Zhiwei WangE, 安藤陽一E
3
軟X線ARPESによるトポロジカル線ノード半金属CaAgAsの電子構造
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, 名大院工D, 名大高等研究院E, 名大院理F, KEK物構研G
高根大地A, 中山耕輔A, 相馬清吾B, C, 和田泰地D, 岡本佳比古D, E, 竹中康司D, 山川洋一E, F, 山影相E, F, 三橋太一A, G, 堀場弘司G, 組頭広志A, G, 佐藤宇史A, C, 高橋隆A, B
4
トポロジカル絶縁体CaAgAs薄膜のP置換効果
名大院工
太田隼輔, 冨澤雄太, 畑野敬史, 中村伊吹, 浦田隆広, 飯田和昌, 生田博志
5
Cd3As2薄膜のキャリア制御と量子ホール効果
東大工A, 理研CEMSB
西早辰一A, 打田正輝A, 中澤佑介A, M. KrienerB, 小塚裕介A, 田口康二郎B, 川崎雅司A, B
6
(Cd1-xZnx)3As2薄膜のカイラル異常とトポロジカル相転移
東大工A, 理研CEMSB
西早辰一A, 打田正輝A, 中澤佑介A, M. KrienerB, 小塚裕介A, 田口康二郎B, 川崎雅司A, B

休憩 (15:00〜15:15)

7
フラックス法によって成長された二硫化タングステンの磁気抵抗
産総研, 東大生研A, 東工大B
津村公平, 矢野力三, 小柳正男, 柏谷裕美, 増渕覚A, 町田友樹A, 並木宏允B, 笹川崇男B, 柏谷聡
8
β-MoTe2の分光イメージングによる電子状態解析
理研CEMSA, 東大工B, 阪大理C, JST-PRESTOD
幸坂祐生A, M. S. BahramyA, B, 池浦晃至B, 町田理A, 岩谷克也A, 花栗哲郎A, 酒井英明C, D, 石渡晋太郎B, D
9
半金属モノプニクタイドLaSbの軟X線ARPESによるトポロジカル相の探索
東北大院理A, 東北大CSRNB, 東北大WPI-AIMRC, KEK物講研D, マックスプランク研E
追沼暉A, 高根大地A, 中村剛慶A, 中山耕輔A, 相馬清吾B, C, 三橋太一A, D, 堀場弘司D, 組頭広志A, D, 吉田誠E, 落合明A, 佐藤宇史A, B, 高橋隆A, B, C
10
Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気的性質
東大生産研
濱崎拡, 徳本有紀, 枝川圭一
11
InAs/InxGa1-xSb二層量子井戸における電界誘起トポロジカル相転移の観測
NTT物性基礎研
入江宏, 秋保貴史, 鈴木恭一, 小野満恒二, 村木康二
12
TaS2上に成長させたBi(110)超薄膜におけるディラック型電子バンドの観測
東北大CSRNA, 東北大WPIB, 東北大院理C, 埼玉大理工D
相馬清吾A, B, 山田敬子C, C. TrangC, 菅原克明B, 上野啓司D, 佐藤宇史A, C, 高橋隆A, B, C
13
磁性トポロジカル絶縁体磁壁における量子化カイラルエッジ伝導の観測と制御
東大工A, 理研CEMSB, 東北大金研C
安田憲司A, 茂木将孝A, 吉見龍太郎B, 塚崎敦C, 高橋圭B, 川崎雅司A, B, 賀川史敬B, 十倉好紀A, B

21日 C20会場 21pC20 13:30〜17:00

領域7(全て領域4と合同、1番目のみ領域4と領域9の合同)
グラフェン関連
(理論)

1
Au原子挿入によるRu(0001)表面上のエピタキシャル・グラフェンの電子構造制御
岩手大理工, 一関高専A
西館数芽, 谷林慧A, 長谷川正之
2
3/4-ディラックコーンとランダウ準位
熊本大教育, 兵庫県立大物質理A
岸木敬太, 綾部真知, 長谷川泰正A
3
磁場中の3次元多孔質グラフェンの電子状態の理論的研究
東北大理, 阪大理A
桐生敏樹, 越野幹人A
4
層状物質における電子状態の積層パターン依存性についての一般論
東大院理, RISTA
明石遼介, 飯田耀, 山本航平, 吉澤香奈子A
5
ドープされたグラフェンへの環境汚染ガス吸着
東工大理
藤本義隆, 斎藤晋
6
Cドープされたh-BN膜とグラフェンからなる複合原子膜の電子物性
東工大理
芳賀太史, 藤本義隆, 斎藤晋

休憩 (15:00〜15:15)

7
三層系h-BN膜の安定積層構造と電子状態
東工大理
松浦雄斗, 藤本義隆, 斎藤晋
8
強スピン軌道結合系における弱局在の理論
電通大基盤理工
早坂太志, 伏屋雄紀
9
ドープしたKane-Mele模型における異方的超伝導の理論
名大工
深谷優梨, 矢田圭司, 服部綾実, 田仲由喜夫
10
二層グラフェン接合におけるアンドレーエフ反射
広大院先端, 筑波大数理物質A
高根美武, 鑓水勝秀A, 神田晶申A
11
Band engineering and valley polarization of graphene-based systems under light irradiation
関学理工
Liu Feng, 中島雄大, 若林克法
12
グラフェンナノ構造におけるゼーベック効果についての理論計算
関学理工
中島雄大, Liu Feng, 若林克法
13
欠陥のあるグラフェン上におけるリチウムの吸着と拡散に関する第一原理計算
筑波大A, NECB
塩田健斗A, 河合孝純A, B

21日 PSA会場 21pPSA 13:30〜15:30

領域4
領域4ポスターセッション

29
MBE法により成長したIV-VI族希薄磁性半導体(Sn,Mn)Teの構造と磁性の評価
筑波大院数理物質, 東大理A, KEKB
石川諒, 伊藤寛史, 秋山了太A, 仁谷浩明B, 黒田眞司
30
Photoemission study of the n-typed diluted ferromagnetic semiconductor Ba(Zn,Co)2As2
Dept. of Phys., Univ. of Tokyo, Dept. of Phys., Zhejiang Univ.A, Inst. of Materials Structure Sci., KEKB, Dept. of Phys., Columbia Univ.C
Yuxuan Wan, Shengli GuoA, Keisuke Koshiishi, Shoya Sakamoto, Zhendong Chi, Masaki KobayashiB, Ryu YukawaB, Koji HoribaB, Hiroshi KumigashiraB, Yasutomo.J. UemuraC, Fanlong. NingA, Atsushi Fujimori
31
ダイヤモンドNVセンターアンサンブルを用いた磁性体の広視野磁気イメージング
筑波大物理A, 産総研B
野元嵩平A, 木村龍典A, 柏谷聡B, 野村晋太郎A
32
空間反転対称性が破れた単結晶Teにおける圧力下電気磁気物性
東理大理, 岡山大基礎研A
安井貴敏, 渡邉悠太, 古川哲也, 上野哲平A, 小林夏野A, 伊藤哲明
33
非平衡グリーン関数を用いたナノ構造における熱電効果の第一原理計算
金沢大自然, 金沢大数物A
田中悠斗, 石井史之A, 斎藤峯雄A
34
IV族半導体量子二次元系における価電子帯上端近傍の電子構造-SOIによる分散変調-
早大理工
東条樹, 高橋由弦, 武田京三郎
35
強磁場サイクロトロン共鳴によるGaN二次元電子系の有効質量の評価
物材機構A, 北大院理B
今中康貴A, B, D. KindoleA, B, 竹端寛治A, L. SangA, 角谷正友A
36
ゲート電極によって形成されたアンチホールバーにおけるエッジチャネル間の散乱特性
東工大理, NTT物性基礎研A
江口亮太, 橋坂昌幸, 村木康二A, 藤澤利正
37
隣接したグラフェン・量子ホール素子間の静電結合とテラヘルツ結合
農工大院工
西村明, 滝沢和宏, 中川大輔, 生嶋健司
38
量子ホールエッジにおける量子エネルギーテレポーテーションの試み
東北大理, NIMSA
松浦雅広, 野田武司A, 間野高明A, 堀田昌寛, 遊佐剛
39
ワイドギャップ半導体ZnOの発光の形状依存性
大教大, 大工大A
保科宗玄, 中田博保, 原田義之
40
Si基板上InNの近赤外光学特性
大教大, 大工大A
吉田玄徳, 中田博保, 淀徳男A
41
一本鎖DNAのスピン依存伝導の計算
三重大院工
笹尾直希, 内海裕洋
42
InSb量子井戸の磁気輸送特性と量子ポイントコンタクトの作製
阪大産研, NICTA
多田誠樹, 大岩顕, 木山治樹, 赤羽浩一A
43
2つの超伝導リードに接続された量子ドットのスペクトル関数およびAndreev束縛状態に関する研究II
大阪市大理, 先端力学シミュレーション研A
樋口裕太, 寺谷義道, 小栗章, 田中洋一A
44
近藤領域にある量子ドットにおけるハンブリーブラウン・トゥイス実験の試み
阪大物理
Lee Sanghyun, 山下薫平, 横井雅彦, 則元将太, 秦徳郎, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介
45
多層ディラック磁性体EuMnBi2の磁気輸送現象
京大人環
岩崎芳紀, 森成隆夫
46
グラフェンの近赤外域における吸収・反射測定
大教大
松谷浩樹, 中田博保
47
数原子層NbSe2薄膜におけるスピン輸送特性
阪大理
河上司, 河村智哉, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介
48
Bi2212薄膜の電気伝導度測定の試み
阪大理物, ENS LyonA
鈴木将太, Cosset-Cheneau MaxenA, 河上司, 荒川智紀, 宮坂茂樹, 田島節子, 新見康洋, 小林研介
49
表面修飾したCVDグラフェンの電気伝導II
筑波大数理
大塚洋一, 堀江彩叶, 田村啓
50
ワイルセミメタルNbAs単結晶の育成と物性評価II
筑波大数理物質
大須賀駿平, 荒木雄也, 柏木隆成, 松尾壮一郎, 村山一哉, 大槻祥馬, 志津友幸, 門脇和男
51
ワイル半金属TaPの単結晶の育成と物性評価
筑波大数理
荒木雄也, 大須賀駿平, 柏木隆成, 松尾壮一郎, 村山一哉, 大槻祥馬, 志津友幸, 門脇和男
52
グラフェン・量子ホール素子における電流注入型テラヘルツ発光
農工大院工, 東大生産研A, 情報通信研究機構B, 東大院総合C
滝沢和宏, 村野裕一, 西村明, 中川大輔, 生嶋健司, 金鮮美A, Mikahail PatrashinB, 寳迫巌B, 小宮山進B, C
53
表面弾性波を用いた超伝導NbSe2薄膜の伝導特性の変調 2
阪大院理, 東大院理A
横井雅彦, 河村智哉, 荒川智紀, 福山寛A, 新見康洋, 小林研介
54
マヨラナ準粒子によるトポロジカル量子計算へのノイズの効果
阪大院基礎工
宮崎俊輔, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡
55
トポロジカル絶縁体二重スピンフィルター模型におけるスピン干渉効果に対する入射角依存性
秋田大院理工
土門慎太朗, 小野田勝
56
局在スピン列/クラスター系に対する伝導電子スピン流の影響に関する数値解析
秋田大院理工
小野田勝
57
トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜のPbTe表面へのMBE成長および電気伝導特性
筑波大数理物質, 東大理A
伊藤寛史, 大滝祐輔, 石川諒, 秋山了太A, 黒田眞司
58
Tlドープトポロジカル結晶絶縁体SnTeの構造・電気伝導特性
東大理
秋山了太, 渡辺和己, 中西亮介, 宮内恵太, 長谷川修司
59
Anisotropic magnetotransport properties of Weyl semimetal WTe2
TMUA, UFABCB
Rajveer JhaA, B, Ryuji HigashinakaA, Tatsuma D.MatsudaA, Raquel A.RibeiroB, Yuji AokiA
60
微傾斜Si(111)-√3×√3-Bi上でのトポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜の成長とその構造・伝導評価
東大理物理, 東大理化学A
中西亮介, 秋山了太, 鎮西弘毅, 福居直哉A, 豊田良順A, 西原寛A, 長谷川修司

22日 B31会場 22aB31 9:00〜12:30

領域4(13番目のみ領域3と合同)
量子ホール効果

1
フォトニック結晶構造中のアンチドット格子系伝導
阪大産研, 東大生研A
酒井裕司, 木山治樹, 大岩顕, 高橋駿A, 太田泰友A, 岩本敏A, 荒川泰彦A
2
Anomalous transition of quantum Hall skyrmions observed by photoluminescence microscopy
東北大理, 物材機構A
Moore John, 早川純一朗, 岩田晃, 間野高明A, 野田武司A, 遊佐剛
3
並走する量子ホールエッジチャネルにおけるエネルギー分布関数の二段階緩和過程
東工大, NTT物性基礎研A
伊藤広祐, 太田智明, 橋坂昌幸, 村木康二A, 藤澤利正
4
量子ホール系のエッジでのマイクロ波吸収
東大物性研
遠藤彰, 小池啓太, 勝本信吾, 家泰弘
5
Effects of Two-Dimensional Electron Gas on the Coupling between Edge Channels on Both Sides of a Hall Bar
NTT Basic Res. Labs., NTT Corp.
Ngoc Han Tu, Yoshiaki Sekine, Koji Muraki, Norio Kumada
6
ゲート掃引によるInAs量子ホール伝導特性の改善
NTT物性基礎研
秋保貴史, 入江宏, 小野満恒二, 村木康二

休憩 (10:30〜10:45)

量子細線・微小接合

7
量子モンテカルロ法を用いた1次元電子系中の不純物ポテンシャル問題の数値的研究
東大物性研
島田典明, 加藤岳生
8
横電場印加によるInSb量子細線のサブバンド構造の変化II
琉球大理, 東北大理A
稲岡毅, 増田貴史A, 橋本克之A, 平山祥郎A
9
並列二重InAsナノ細線と超伝導体の接合におけるクーパー対分離の観測
東大工A, Univ. of BaselB, RIKENC, Peking Univ.D, Lund Univ.E, 阪大産研F
佐藤洋介A, 馬場翔二A, C. JuengerB, 松尾貞茂A, A. BaumgatnerB, 鎌田大C, K. LiD, H.Q. XuD, E, C. SchonenbergerB, 大岩顕F, 樽茶清悟A, C
10
量子細線ジョセフソン接合におけるジョセフソン雑音放射
理研CEMSA, 東大工B, 北京大C, ルンド大D
鎌田大A, B, R. S. DeaconA, 松尾貞茂B, 馬場翔二B, K. LiC, H. Q. XuC, D, 石橋幸治A, 樽茶清悟A, B
11
Al-InAs量子井戸から作製した超伝導接合の輸送特性.2
東大工, 理研A, カリフォルニア大学B
松尾貞茂, 上田健人, 佐藤洋介, 鎌田大A, Joon Sue LeeB, Borzoyeh ShojaeiB, Chris PalmstromB, 樽茶清悟A
12
MoS2電気二重層構造/Al接合における電気輸送特性
日女大理, 東理大理A, 東理大総研院B
相川夕美花, 津村公平A, 成田智絵, 高柳英明B, 石黒亮輔
13
窒化ニオブを用いた強磁性ジョセフソン接合におけるπ状態
情通機構A, JSTさきがけB
山下太郎A, B, 川上彰A, 寺井弘高A

22日 B32会場 22aB32 9:00〜12:30

領域4
トポロジカル物質
(理論)

1
乱れたトポロジカル超伝導体の非可換指数と量子相図
東大理
吉岡信行, 赤城裕, 桂法称
2
トポロジカル結晶超伝導の相転移に付随するワイル超伝導相
東工大理
奥川亮, 横山毅人
3
捻り境界条件を課したKitaev模型におけるマヨラナ・ゼロモードの出現
東大理, Beijing Inst. of Tech.A
川畑幸平, 小林良平, Ning WuA, 桂法称
4
ワイル超伝導におけるカイラル異常由来の磁気熱輸送現象
阪大院基礎工
小林琢郎, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡
5
スキルミオンテクスチャをもつ超流動3He-Aにおけるtorsion由来のカイラル磁気効果
阪大院基礎工
石原祐亮, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡
6
1次元における不対ワイルフェルミオンとカイラル量子異常
東大物性研
押川正毅

休憩 (10:30〜10:45)

7
ネマティック超伝導体CuxBi2Se3における電磁応答
阪大基礎工
植松宏紀, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡
8
磁場を印加したヘリカルp波超伝導体における多重縮退したトポロジカル表面束縛準位
北大院工A, 名大工B
池谷聡A, 小林伸吾B, 浅野泰寛A
9
カイラル超流動体におけるエッジ流と軌道角運動量
東大物性研, ミュンヘン工科大A
多田靖啓, Frank PollmannA
10
トポロジカル超伝導のエッジ状態に関する角度分解した局所状態密度の理論計算
名大工
田村駿, 田仲由喜夫
11
Josephson Phi-Junction in Topological Superconductors
慶応大自然科学研究教育セ
Zhao Huang, 島崎信二 and 新田宗土
12
非線形1次元量子ウォークにおけるエッジ状態の安定性とPT対称性
北大院工, 京大理A
望月健, 川上則雄A, 小布施秀明
13
トポロジカル相の接合境界が動的に変化する1次元格子モデルにおけるエッジ状態
北大院工, 京大理A
藤澤有祐, 矢久保考介, 川上則雄A, 小布施秀明

22日 C10会場 22pC10 13:30〜16:55

領域4,領域6,領域8合同シンポジウム
主題:超伝導物質および超流動ヘリウム研究の切り開くトポロジカル物理の最前線

1
(シンポジウム講演)はじめに
名大理
山影相
2
(シンポジウム講演)トポロジカル物質のトポロジカル超伝導
京大基研
佐藤昌利
3
(シンポジウム講演)バルクトポロジカル超伝導体の開発とマクロ測定
京大理
米澤進吾
4
(シンポジウム講演)NMRから見たトポロジカル物質
岡山大理
俣野和明

休憩 (15:05〜15:25)

5
(シンポジウム講演)グラフェンの量子ホール状態を介した超伝導流
東大工
山本倫久
6
(シンポジウム講演)トポロジカル超流動体であるヘリウム3の表面状態
東大総合文化
堤康雅
7
(シンポジウム講演)トポロジカル超流動3Heの新奇準粒子状態
東工大理
野村竜司

22日 E21会場 22pE21 13:30〜17:15

領域7(5番目と10番目のみ領域4と合同)
ナノチューブ・フラーレン

1
アークプラズマガンによるC60フラーレンナノウィスカー上への白金ナノ粒子の作製
東理大
宮澤薫一, 吉武優, 田中優実
2
ルテチウム内包フラーレンの電子構造と電荷移動
岡山大理界面, 名大院理A, 愛媛大院理工B
宮崎隆文, 脇田高徳, 横谷尚睦, 篠原久典A, 日野照純B
3
C603-モット絶縁相における圧力下電子状態
東北大院理A, 兵庫県立大院物質理B, 東北大AIMRC
平郡諭A, B, 松田祐貴A, 及川新平A, 谷垣勝己A, C
4
波束拡散法によるカーボンナノチューブと有機半導体の電子伝導計算
筑波大数物, NECA
石井宏幸, 小林伸彦, 広瀬賢二A
5
CドープされたBNナノチューブの電子構造と不純物状態
東工大理
斎藤晋, 藤本義隆, 芳賀太史
6
Physical properties of binary-elements intercalated-graphite, CaxSr1-xCy
RIIS/Okayama Univ., RLSS/Okayama Univ.A, RIKENB, NSRRCC
Xiaofan Yang, Takahiro Terao, Xiao Miao, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Takafumi MiyazakiA, Hitoshi YamaokaB, Hirofumi IshiiC, Yen-Fa LiaoC, Yoshihiro Kubozono
7
Sc2B1.1C3.2におけるグラファイト状BC2層の構造と電子状態
物材機構
速水渉, 田中高穂

休憩 (15:15〜15:30)

8
多環芳香族炭化水素benzo[ghi]perylene錯体のラマン分光
名大院工A, 京大院理B, 京大物性科学セC, 名城大農D, 豊田理研E
丹後駿介A, 中村優斗A, 岸田英夫A, 中野義明B, C, 矢持秀起B, C, 吉田幸大B, D, 齋藤軍治D, E
9
高密度キャリア注入時に形成されるナノチューブ軸に垂直方向の光吸収
首都大, ライス大A
柳和宏, Fumiya KatstsutaniA, Weilu GaoA, Junichiro KonoA
10
GW + Bethe-Salpeter法による水分子吸着カーボンナノチューブの光物性の研究
東理大理
鈴木康光, 岩崎大介, 渡辺一之
11
つぶれたカーボンナノチューブの光吸収
東工大理学院物理
安藤恒也
12
ドープしたカーボンナノチューブの縦と横誘電関数
NTT物性研
佐々木健一
13
不純物ドープ・カーボンナノチューブの熱電応答
東理大工, 東理大理A
山本貴博, 福山秀敏A
14
カーボンナノチューブの電子-フォノン散乱による電流ゆらぎの評価
東理大工, 東理大総合研究院A, 神戸大工B, 東理大工C
石関圭輔, 笹岡健二A, 小鍋哲A, 相馬聡文B, 山本貴博C

23日 B31会場 23aB31 10:45〜12:30

領域4
半導体スピントロニクス

1
幅広InGaAs量子井戸2層2次元電子ガスにおける弱反局在解析
大阪大低温セ, 大阪工業大A, 北陸先端大B
日高志郎, 山田省二A, 藤元章A, 赤堀誠志B
2
幅広InGaAs井戸2層2次元電子ガスの量子ホール効果
大阪工大, 北陸先端大A, 物材機構B
山田省二, 藤元章, 赤堀誠志A, 今中康貴B, 竹端寛治B
3
Spin Echo Study of Boron in 28Si at Millikelvin Temperature
Univ. of New South Wales Sydney, Univ. of MelbourneA, Leibniz-Institut für KristallzüchtungB, PTB BraunschweigC, VITCON Projectconsult GmbHD, 東北大理E
小林嵩E, J. van der Heijden, J. Salfi, M. G. House, B. C. JohnsonA, J. C. McCallumA, H. RiemannB, N. AbrosimovB, P. BeckerC, H. -J. PohlD, M. Y. Simmons, S. Rogge
4
ラシュバ型スピン軌道相互作用と交換相互作用の共存する系でのトンネルコンダクタンスの計算
名大工
大島大介, 田口勝久, 田仲由喜夫
5
量子井戸の強束縛モデルにおけるRashbaスピン軌道相互作用の界面双極子による制御
北大院工
江上喜幸, 明楽浩史
6
複数サブバンドをもつ量子井戸における外因性スピンホール効果
北大工
石川俊也, 明楽浩史
7
反転対称性の破れた物質における非線形スピン流
東大工A, 韓国科学技術院B, カリフォルニア大C, 理研CEMSD
濱本敬大A, 江澤雅彦A, Kim Kun WooB, 森本高裕C, 永長直人A, D

23日 B32会場 23aB32 9:15〜12:00

領域4(全て領域7と合同。6番目のみ領域7、領域9と合同)
グラフェン関連
(輸送現象および分光)

1
グラフェンのトポロジカル欠陥における電子の有効理論
東北大理, 阪大理A
林智宏, 越野幹人A
2
ハニカム格子模型によるディラック電子系の電磁応答
東大理
寒川崇生, 正木祐輔
3
Applications of negative refraction in bilayer graphene
Univ. of TokyoA, Univ. of LeicesterB, AISTC
P. A. MaksymA, B and H. AokiC, A
4
Thermal carriers in disordered graphene with hexagonal-Boron Nitride and multi-layer graphene
Grad. Sch. of Engin., Chiba Univ.A, Grad. Inst. of Appl. Phys., Nat. Taiwan Univ.B, Sch. of Electronic & Electrical Engin.C, Dept. of Electrophys., Nat. Chiayi Univ.D
Chuang ChiashainA, Mineharu M.A, Matsunaga M.A, Liu C.-W.B, Wu B.-Y.B, Kim G.-H.C, Lin L.-H.D, Ochiai Y.A, Liang C.-T.B, Aoki N.A
5
2層グラフェンにおける電場による閉じ込め効果の発現
千葉大院工, 物材機構A, 成均館大B, アリゾナ州立大C, バッファロー大D
松本直樹, 峰晴正彰, 荒川友貴, 松永正広, 渡邊賢司A, 谷口尚A, G-H.キムB, D.K.フェリーC, J.P.バードD, 青木伸之

休憩 (10:30〜10:45)

6
グラフェンへの分子吸着における高ゲート電圧印加の効果
法政大生命科学
梅原太一, 石黒康志, 高井和之
7
劈開グラフェン試料へのジグザグ・ナノピット形成とその伝導度測定
東大院理A, 東大低温セB
喜田和馬A, 松井朋裕A, AAndre E. B. AmendA, 福山寛A, B
8
白金・ビスマステルル微粒子修飾グラフェンのスピン軌道相互作用
青学大理工A, 東大物性研B
工藤浩章A, 峰彰秀A, 難波拓A, 田村涼A, 初田雅博A, 大畠智恵A, 春山純志A, B
9
アルカリ金属吸着グラフェンの電子格子相互作用:高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC
佐藤基樹A, 菅原克明B, C, 佐藤宇史A, C, 高橋隆A, B, C
10
スピン偏極陽電子ビームによるグラフェン・窒化ボロン/コバルト系のスピン偏極状態の観測
量研機構
河裾厚男, 前川雅樹, 和田健, 宮下敦巳, 圓谷志郎, 境誠司

23日 B31会場 23pB31 13:45〜16:15

領域4
量子井戸・超格子・光応答・局在

1
ワイル半金属を用いた超格子におけるトポロジカル相
東工大理A, 東工大元素戦略研究セB
横溝和樹A, 村上修一A, B
2
InAs二次元電子ガスにおける多重アンドレーエフ反射の磁場依存性
東大物性研
鬼嵜誠, 橋本義昭, 中村壮智, 勝本信吾
3
InAs量子井戸を用いた超伝導接合の面内磁場応答
東大物性研
中村壮智, 鬼嵜誠, 橋本義昭, 勝本信吾
4
GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-励起子散乱発光ダイナミクスの温度依存性
阪市大院工
宮崎雄一郎, 中山正昭
5
CdTe二次元電子系における強磁場荷電励起子発光
物材機構, ポーランド科学アカデミーA
今中康貴, G. KarczewskiA, T. WojtowiczA

休憩 (15:00〜15:15)

6
GaAs/AlAs多重量子井戸における差周波混合法によるテラヘルツ電磁波の偏光特性
神戸大院工, Univ. of GlasgowA
小島磨, 喜多隆, Hogg Richard
7
2次元電子系の光渦との相互作用による軌道角運動量の光応答電流への影響
放送大院文化科学
高橋浩久, Igor Proskurin, 岸根順一郎
8
MoS2/h-BN薄膜積層構造の光応答
筑波大物理
齋藤明央, 綾野智貴, 野村晋太郎
9
アンダーソン局在相転移による熱電性能の増大
東大理, ベングリオン大A, テルアビブ大B, 東大生研C
山本薫, Amnon AharonyA, B, Ora Entin-WohlmanA, B, 羽田野直道C

23日 B32会場 23pB32 13:45〜16:30

領域4
トポロジカル物質
(実験)

1
Topological superconductivity on the surface of iron-based superconductor
Inst. for Solid State Phys., Princeton Univ.A, Nanjing Univ.B, Brookhaven Nat’l. Lab.C, Inst. of Phys., (Chinese Academy of Sci.)D
Peng Zhang, Koichiro Yaji, Takahiro Hashimoto, Yuichi Ota, Takeshi Kondo, Kozo Okazaki, Zhijun WangA, Jinsheng WenB, G. D. GuC, Hong DingD, and Shik Shin
2
SrxBi2Se3における極低温磁場侵入長測定
東大新領域, 東工大フロンティア研A, 京大院理B
Yijie Miao, 竹中崇了, 水上雄太, 橘和宗A, 笹川崇男A, 笠原裕一B, 松田祐司B, 芝内孝禎
3
AC Susceptibility Measurement of Hc2 Anisotropy of Topological Superconductor SrxBi2Se3
Kyoto Univ., Univ. of CologneA
Ivan Kostylev, Yonezawa Shingo, Zhiwei WangA, Yoichi AndoA, Yoshiteru Maeno
4
磁性ドープしたトポロジカル絶縁体によるトポロジカルジョセフソン接合
産総研, 東工大フロンティア研A
矢野力三, 小柳正男, 柏谷裕美, 津村公平, 五十嵐九四郎A, 笹川崇男A, 柏谷聡
5
強いスピン軌道相互作用を持つNi-Bi系化合物の単結晶育成と超伝導特性
東工大フロンティア研
松川慶太朗, 大川顕次郎, 村瀬正恭, 笹川崇男

休憩 (15:00〜15:15)

6
磁場中輸送特性から見た3次元トポロジカル絶縁体Bi2-xSbxTe3-ySey薄膜の電子状態
東北大院理A, 東北大WPIB
田邉洋一A, Tu Ngoc HanA, 佐竹遥介A, Huynh Kim KhuongB, 松下ステファン悠A, 谷垣勝巳A, B
7
トポロジカル絶縁体(Bi1-xSbx)2Se3薄膜における電子状態制御と電気伝導特性評価
東北大金研A, 東北大院理B, 東北大WPIC
佐竹遥介A, 塩貝純一A, 高根大地B, 山田敬子B, 藤原宏平A, 相馬清吾C, 佐藤宇史B, 高橋隆C, 塚崎敦A
8
Pb-(Bi,Sb)-(Te,Se)トポロジカル絶縁体の結晶作製と輸送特性評価
東大生産研
服部裕也, 上山僚介, 徳本有紀, 枝川圭一
9
高品質3次元トポロジカル絶縁体Bi2−xSbxTe3−ySey(BSTS)の気相エピタキシャル薄膜成長と物性
東北大WPI-AIMRA, 東北大院理B
Tu Ngoc HanB, 田邉洋一B, 松下ステファン悠A, Huynh Kim KhuongA, Le Phuoc HuuB, and 谷垣勝己A, B
10
3次元トポロジカル絶縁体Bi2-xSbxTe3-ySey薄膜の熱電特性の直接観測II
東北大院理A, 東北大AIMRB, 阪市大院理C
松下ステファン悠A, Huynh Kim KhuongB, 吉野治一C, Tu Ngoc HanA, 田邉洋一A, 谷垣勝己A, B

23日 C20会場 23pC20 13:30〜16:50

領域7,領域4,領域9合同シンポジウム
主題:遷移金属カルコゲナイド2次元結晶の新展開 New development in transition metal dichalcogenides

1
(シンポジウム講演)はじめに Introduction
東理大総合研究院 Tokyo Univ. of Sci.
小鍋哲 Satoru Konabe
2
(シンポジウム講演)機能性2次元カルコゲナイドの成長と評価 Growth and characterization of functional 2D chalcogenides
首都大理工 Tokyo Metropolitan Univ.
宮田耕充 Yasumitsu Miyata
3
(シンポジウム講演)2次元カルコゲナイドのポリモルフィズムと構造物性 Polymorphic structures and properties of 2D materials
産総研ナノ材料 AIST
末永和知 Kazutomo Suenaga
4
(シンポジウム講演)2次元カルコゲナイドの励起子ホール効果 Symmetry protected type II Dirac fermions in transition metal dichalcogenides
東大量子相(理論) QPEC, Univ. of Tokyo
Mohammad Saeed Bahramy

休憩 (15:05〜15:20)

5
(シンポジウム講演)2次元カルコゲナイドの励起子ホール効果 Excitonic Hall Effect in 2D chalcogenide
東大量子相(実験) QPEC, Univ. of Tokyo
岩佐義宏 Yoshihiro Iwasa
6
(シンポジウム講演)2次元遷移金属カルコゲナイド・人工ヘテロ構造の光物性  Photophysics in 2D transition metal dichalcogenide and its artificial hetero-structure
京大エネ研 Kyoto Univ.
松田一成 Kazunari Matsuda
7
(シンポジウム講演)2次元カルコゲナイドの電流励起発光 Electroluminescence in 2D chalcogenide
名大工 Nagoya Univ.
竹延大志 Taishi Takenobu

24日 B31会場 24aB31 9:00〜12:00

領域4
ディラック電子系
(理論および実験)

1
周期外場駆動Weyl半金属におけるアノマリー現象の解析
東大理
海老原周, 福嶋健二
2
ディラック系における擬磁場とランダウ準位
NIMS-MANA
苅宿俊風
3
第2種ワイル半金属におけるランダウ準位とサイクロトロン共鳴
阪大理
越野幹人
4
黒リンにおけるバルク不純物状態のSTM観察
理研 CEMS, 東工大フロンティア研A, 原子力機構シ計セB, MITC
町田理, 高橋敬成A, 幸坂祐生, 岩谷克也, 花栗哲郎, 笹川崇男A, 永井佑紀B, C
5
黒リンの熱輸送特性におけるサイズ効果
東工大理, ESPCIA, 東大物性研B, 兵庫県立大C
町田洋, 井澤公一, Kamra BehniaA, 秋葉和人B, 三宅厚志B, 徳永将史B, 赤浜裕一C
6
単結晶テルルにおける圧力下輸送特性
東大工A, 東工大フロンティア研B, 理研CEMSC
井手上敏也A, 太向弘明A, 高橋敬成B, 村瀬正恭B, 笹川崇男B, 岩佐義宏A, C

休憩 (10:30〜10:45)

7
多層ディラック電子系EuMnBi2における量子振動の磁気構造依存性
東大工A, 阪大理B, JST-PRESTOC, 東大物性研D, 理研CEMSE
増田英俊A, 酒井英明B, C, 高橋英史A, 徳永将史D, 三宅厚志D, 秋葉和人D, 十倉好紀A, E, 石渡晋太郎A, C
8
キャリアドープした層状ディラック反強磁性体Eu1-xGdxMnBi2における量子極限近傍のランダウ準位構造
阪大院理A, JST-PRESTOB, 東大院工C, 東大物性研D
鶴田圭吾A, 酒井英明A, B, 増田英俊C, 石渡晋太郎B, C, 秋葉和人D, 三宅厚志D, 徳永将史D, 村川寛A, 花咲徳亮A
9
アンチペロブスカイトSr3PbOにおける3次元ディラック電子と巨大反磁性
東大理A, マックス・プランク研B
末次祥大A, 北川健太郎A, 葉山慶平A, A. W. RostB, J. NussB, C. MuhleB, 高木英典A, B
10
3次元ディラック電子系候補物質PtSn4のNMR測定
首都大理工A, JSTさきがけB
岡部碧A, 中井祐介A, 東中隆二A, 宮田耕充A, B, 真庭豊A
11
van der Waals強磁性体Cr2Ge2Te6のARPESおよびXMCDの測定
東大理, ラトガース大A, 高エネ研B, 東大工C
鈴木雅弘, Bin GaoA, 芝田悟朗, 坂本祥哉, 輿石佳佑, 野中洋亮, 池田啓祐, 池震棟, 中田勝, 萩原健太, 林春, 万宇軒, 組頭広志B, 小野寛太B, 小林正起C, Sang-Wook CheongA, 藤森淳

24日 B32会場 24aB32 10:45〜12:30

領域4
トポロジカル相
(理論)

1
カゴメ格子の平坦バンドにおける電子間相互作用
筑波大数理
工藤耕司, 初貝安弘
2
強磁性金属における非可換量子力学とskew散乱
東大工A, 理研CEMSB
石塚大晃A, 永長直人A, B
3
Haldane模型の輸送特性に対する不純物散乱の効果II
奈良女子大理, 秋田大教育A
辰己智子, 吉岡英生, 林正彦A
4
非共型(メビウス)トポロジカル絶縁体の表面状態に関する理論的考察
広大先端研, 創発物性拠点
井村健一郎, 田中新
5
3次元トポロジカル絶縁体相のエンタングルメント・ハミルトニアンによる特徴付け
筑波大数理, 茨大理A
荒木広夢, 福井隆裕A, 初貝安弘
6
3次元におけるトポロジカルポンプ
茨大理
福井隆裕, 藤原高徳
7
トポロジカル絶縁体・半金属の有する加群構造について
理研, 京大基研A, 信州大B
塩崎謙, 佐藤昌利A, 五味清紀B
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