分野別プログラム

領域9

21日 J17会場 21aJ17 9:00〜12:15

領域9(5番目のみ領域7と合同、7番目のみ領域5と合同)
ナノ結晶・クラスタ,ナノチューブ・ナノワイヤ,表面局所分光

1
シリコンクラスター超格子表面プラズモンのSTEM-EELS研究 I
産総研
岩田康嗣, 内田雄幸, 織田望
2
シリコンクラスター超格子中の不純物の電子状態計算II
産総研
織田望, 岩田康嗣, 内田雄幸
3
金ナノ粒子触媒の構造・電子状態のサイズ依存性に関する大規模DFT計算
物材機構
中田彩子, 宮崎剛
4
第一原理計算による磁性半導体の熱電物性におけるフォノン、マグノン相互作用
筑波大数物, 物材機構MANAB, 物材機構RCSMC, NECD
高木博和, 小林一昭B, 下野昌人C, 小林伸彦, 広瀬賢二D, 辻井直人B, 森孝雄B
5
カーボンナノポットの表面電位変調
熊大院先端科学
横井裕之, 畠山一翔, 鯉沼陸央
6
カーボンナノチューブにおけるFeN4活性サイトに関する第一原理電子構造計算
岩手大理工, 東北大サイバーA
青山修也, 鹿岩潤, 山下毅A, 長谷川正之, 西館数芽

休憩 (10:30〜10:45)

7
(招待講演)光と走査トンネル顕微鏡を組み合わせて見る単一分子エネルギー変換/移動ダイナミクス
理研
今田裕
8
絶縁体超薄膜上に吸着したPTCDA単一分子からの選択的な燐光発生
東大新領域A, 理研SISLB, 分子研C
木村謙介, 今田裕, 三輪邦之, 今井みやび, 河原祥太, 竹谷純一, 川合眞紀, 金有洙
9
単一分子の電界誘起発光における電子相関効果
理研, 東大新領域A, UC San DiegoB
三輪邦之, 今田裕, 木村謙介A, Michael GalperinB, 金有洙
10
フェムト秒レーザーダブルパルス照射による金属表面ナノ構造の形成
京大院理A, 京大化研B
古川雄規A, B, 寺本研介A, B, 森一晃A, B, 中宮義英B, 井上峻介A, B, 橋田昌樹A, B, 阪部周二A, B
11
カルコゲン合金のポンプ-プローブSTM発光分光
産総研, 東北大通研A, トゥール大GREMANB
桑原正史, 片野諭A, 坂井穣B, 上原洋一A

21日 N13会場 21aN13 9:00〜12:15

領域9
表面界面電子物性, トポロジカル表面

1
Bi(111)表面電子状態の温度依存性とトポロジカル相転移の可能性
阪大生命A, 阪大理B, 分子研C
大坪嘉之A, B, 岸潤一郎B, 山下雄紀B, 山根宏之C, 出田真一郎C, 田中清尚C, 木村真一A, B
2
Bi(111)におけるΓ点周りのRashba分裂の解析
兵庫県立大院物質理
藤原聖基, 島信幸, 馬越健次, 坂井徹
3
銅酸化物高温超伝導体上のBi超薄膜の電子構造:高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大CSRNB, 東北大WPI-AIMRC
嶋村奈津美A, 中田優樹A, 相馬清吾B, C, 菅原克明B, C, 佐藤宇史A, B, 高橋隆A, B, C
4
トポロジカル絶縁体Bi2Te3における光エイジングと表面光起電力効果
広島大院理, 東大物性研A, ノヴォシビルスク大B
吉川智己, 石田行章A, 角田一樹, 陳家華, K. KokhB, O. TereshchenkoB, 辛埴A, 木村昭夫
5
Electronic structure of topological superconductor candidate Tl0.5Bi2Te3 studied by ARPES
Dept. Phys., Tohoku Univ.A, Cologne Univ.B, WPI-AIMR, Tohoku Univ.C, CSRN, Tohoku Univ.D
C. TrangA, Zhiwei WangB, D. TakaneA, K. NakayamaA, S. SoumaC, D, T. SatoA, D, T. TakahashiA, C, D, A.A. TaskinB, Yoichi AndoB
6
Spectroscopic study of spin-valley effect in the inversion symmetric Na3Bi
広大放射光科学研究セA, 広大理B
Shilong WuA, 松田旭央B, 宮本幸司A, 奥田太一A
7
磁性トポロジカル絶縁体(Sb1-xVx)2Te3のキャリア誘起強磁性および超高速キャリアダイナミクス
広大院理, 東大物性研A, ノヴォシビルクス大B, 原研C
角田一樹, 石田行章A, 吉川智己, 檜垣聡太, Konstantin KohkB, Oleg TereshchenkoB, 竹田幸治C, 斎藤祐児C, 辛埴, 木村昭夫

休憩 (10:45〜11:00)

8
Pb(111)/Mn5Ge3界面における超伝導強磁性近接効果のSTM観察
東大物性研, 原研A, MITB
長谷川幸雄, Kim Howon, 永井佑紀A, B, 加藤岳生
9
Ge(111)-√3×√3-(Tl, Pb)における超伝導転移の in situ 4端子測定
東大理, 物材機構A, IACP FEB RASB, FEFUC, VSUESD
中村友謙, 一ノ倉聖A, 高山あかり, 秋山了太, A. V. ZotovB, C, D, A. A. SaraninB, C, 長谷川修司
10
Superconductivity of SIC phase of Pb/Ge(111) surface studied by in-situ transport measurements
Dept. of Phys., Univ. of Tokyo
H. Huang, T. Nakamura, A. Takayama, S. Hasegawa
11
水素イオン照射による薄膜Pdの異常抵抗減少
東大生研, 東工大物質理工学院A
小澤孝拓, 清水亮太A, 河内泰三, 小倉正平, 一杉太郎A, 福谷克之
12
SrTiO3基板上の単一ユニットセルFeSeの局所的な超伝導特性
東工大理
田中友晃, 芳野諒, 秋山健太, 平原徹

21日 C20会場 21pC20 13:30〜17:00

領域7(全て領域4と合同、1番目のみ領域4と領域9の合同)
グラフェン関連
(理論)

1
Au原子挿入によるRu(0001)表面上のエピタキシャル・グラフェンの電子構造制御
岩手大理工, 一関高専A
西館数芽, 谷林慧A, 長谷川正之
2
3/4-ディラックコーンとランダウ準位
熊本大教育, 兵庫県立大物質理A
岸木敬太, 綾部真知, 長谷川泰正A
3
磁場中の3次元多孔質グラフェンの電子状態の理論的研究
東北大理, 阪大理A
桐生敏樹, 越野幹人A
4
層状物質における電子状態の積層パターン依存性についての一般論
東大院理, RISTA
明石遼介, 飯田耀, 山本航平, 吉澤香奈子A
5
ドープされたグラフェンへの環境汚染ガス吸着
東工大理
藤本義隆, 斎藤晋
6
Cドープされたh-BN膜とグラフェンからなる複合原子膜の電子物性
東工大理
芳賀太史, 藤本義隆, 斎藤晋

休憩 (15:00〜15:15)

7
三層系h-BN膜の安定積層構造と電子状態
東工大理
松浦雄斗, 藤本義隆, 斎藤晋
8
強スピン軌道結合系における弱局在の理論
電通大基盤理工
早坂太志, 伏屋雄紀
9
ドープしたKane-Mele模型における異方的超伝導の理論
名大工
深谷優梨, 矢田圭司, 服部綾実, 田仲由喜夫
10
二層グラフェン接合におけるアンドレーエフ反射
広大院先端, 筑波大数理物質A
高根美武, 鑓水勝秀A, 神田晶申A
11
Band engineering and valley polarization of graphene-based systems under light irradiation
関学理工
Liu Feng, 中島雄大, 若林克法
12
グラフェンナノ構造におけるゼーベック効果についての理論計算
関学理工
中島雄大, Liu Feng, 若林克法
13
欠陥のあるグラフェン上におけるリチウムの吸着と拡散に関する第一原理計算
筑波大A, NECB
塩田健斗A, 河合孝純A, B

21日 PSB会場 21pPSB 15:30〜17:30

領域9
領域9ポスターセッション

1
光第二次高調波発生を用いた高プレチルト角ポリイミドの表面配向の研究
北陸先端大A, JSRB
猪股洋輔A, 浅倉慎弥A, Khaut Thi Thu HienA, 水谷五郎A, 村上嘉祟B, 岡田敬B
2
メリライト(CaAl2Si2O8)結晶超微粒子形成
立命館大理工
墻内千尋, 齋藤嘉夫
3
2成分定比化合物微斜面上のステップ:モンテカルロ計算
大阪電通大工
村田直也, 阿久津典子
4
Mn-SiO系ホイスカー粒子の成長とその構造
東北学院大工
鈴木仁志, 川村康平, 遠藤博元, 西野量彦
5
アンモニアボラン分子蒸着による銅表面上での六方晶窒化ホウ素の合成
東工大理A, 東工大総理工B, 東工大物質理工C
山上剛史A, 高木優香B, 山崎詩郎A, 中辻寛C, 平山博之A, B
6
Ge(111)- Bi√3×√3 の時間分解2光子光電子分光
佐賀大院理工, 佐賀大SLセA
松石紘太朗, 今村真幸A, 山本勇A, 東純平A, 高橋和敏A
7
STMによるMn3Snの表面構造の観察
東大物性研, バンドン工科大A
大原健悟, Yang Hung Hsiang, 吉田靖雄, Ikhlas Muhhamad, 冨田崇弘, Agustinus Agung NugrohoA, 中辻知, 長谷川幸雄
8
表面吸着アルカリ金属原子からの電子ドーピングによるバンド構造の変形
東大物性研, 広大放射光A, 東大理B, NSRRCC
伊藤俊, B FengA, 有田将司A, 染谷隆史, 高山あかりB, W.-C. ChenC, 飯盛拓嗣, 生天目博文A, 谷口雅樹A, C.-M. ChengC, S.-J. TangC, 小森文夫, 松田巌
9
フタロシアニン分子に覆われた金属超薄膜の電子状態と電気伝導
京大院理
八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
10
低温蒸着によるBi超薄膜の構造と電子状態
東工大理, 東工大物質理工A
長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛A, 平山博之
11
単層の遷移金属ダイカルコゲナイド(層状化合物半導体)の顕微鏡下における非線形光学分光測定
横浜国大, 防衛大A
菊池悠平, 宮内良広A, 鈴木隆則A, 田中正俊, 大野真也
12
Si(111)5×2-Au表面における一次元Rashbaスピン分裂
広大院理, 広大放射光セA
田口一暁, 角田一樹, 奥田悠貴, 木村昭夫, 宮本幸治A, 奥田太一A
13
Si(111)√3×√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態
東工大物質理工, 東工大総理工A, 東工大理B, あいちSRC, KEK-PFD, 佐賀大SLセE
下川裕理, 藤原翼A, 長瀬謙太郎B, 山崎詩郎B, 渡辺義夫C, 仲武昌史C, 間瀬一彦D, 高橋和敏E, 中辻寛, 平山博之B
14
キャリアドーピングによるSi(111)4×1-In表面の金属-絶縁体転移の制御
東工大理, 東工大物質理工A
荻野嵩大, 山崎詩郎, 中辻寛A, 平山博之
15
Si(100)表面の電子状態計算におけるスラブ厚さの影響
物材機構, UCLA
鷺坂恵介, 奈良純, David BowlerA
16
MoO3(010)表面の酸素欠陥サイトにおけるS2分子の吸着状態
熊大院自然, 南カリフォルニア大A
三澤賢明, Subodh TiwariA, 下條冬樹, Rajiv K. KaliaA, Aiichiro NakanoA, Priya VashishtaA
17
第一原理手法によるワニア関数を用いた表面・界面ラシュバ状態の解析
金沢大自然, 金沢大数物A
山口直也, 杉田恵, 石井史之A
18
ペロブスカイト型酸化物/貴金属界面におけるラシュバ効果の第一原理計算
金沢大自然, 金沢大数物A
杉田恵, 山口直也, 石井史之A
19
プルシアンブルー類似体の鉄酸化状態に依存した局所電気伝導度の多探針法計測 III
山梨大工
大村貴輝, 眞野紘輔, 白木一郎
20
フラーレン薄膜のARPESの理論解析
千葉大院融
鈴木悠人, Peter Krüger
21
不活性化されたシリコン基板上の鉄フタロシアニン薄膜の電子状態と反応性の解析
横国大院工, 佐賀大SLセA
大神田航平, 大野真也, 高橋和敏A, 田中正俊
22
グラフェン上Bi(110)超薄膜の時間分解2光子光電子分光
佐賀大SLセ
高橋和敏, 今村真幸, 山本勇, 東純平
23
プローブ顕微鏡技術を用いたカーボンナノチューブ担持探針の準備の試み
山梨大工
竹内嵩裕, 川辺拓実, 外川翔太, 白木一郎
24
絶縁体表面上の3d遷移金属原子の磁性に関する第一原理解析
東大院工
北口智啓, 南谷英美, 渡邉聡
25
原子間力顕微鏡によるIn/Si(111)-4×1表面の相転移前後の測定
東大物性研, 阪大工A, 東工大理B, 東大新領域C
岩田孝太, A, 山崎詩郎B, 塩足亮隼C, 杉本宜昭A, C
26
MgO(001)基板上のAg/Ti二層薄膜の脱濡れ過程
東大生研, 韓国光云大A
神子公男, 光田好孝, 河在根A
27
Si(111)-√7×√3-In再構成構造のIn吸着量
福岡大工A, Warwick大理B, デュイスブルク-エッセン大理C, ダイアモンド放射光D
鈴木孝将A, B, J. LawrenceB, M. WalkerB, J.M. MorbecC, P. BloweyB, D, 柳生数馬A, P. KratzerC, G. CostantiniB
28
Ag(110)表面上でのセキシフェニル分子の自己組織化配列
横市大院生命ナノ
鈴木奈央子, 横山崇
29
Fe原子吸着Si(111)7×7表面構造の第一原理計算
奈良先端大物質創成
谷本慶, 片岡恵太, 楊昊宇, 服部賢, 大門寛
30
Minimal-functionによるSi(111)-√21×√21-(Ag+Au)構造の考察
東京学芸大, 東大物性研A, 産総研B, JSTさきがけC, JASRI/SPring-8D
高橋敏男, 山口雄大A, 白澤徹郎B, C, Wolfgang Voegeli, 田尻寛男D
31
方位角スキャンRHEEDを用いた三次元逆格子マッピングにおける較正法の開発
奈良先端大物質創成
西田翔太, 中尾公輝, 神保裕喜, 広田望, 竹本昌平, 石田拓也, 服部賢, 大門寛
32
物理吸着系単分子層に生成するナノケーブルの化学構造-幾何構造-電子構造相関
東京農工大院工, 東京農工大工A, 北里大理B
真田隼登, 柳澤響, 遊間祐一郎A, 尾崎弘行, 遠藤理, 尾池秀章, 渡邉大輔B, 長谷川真士B, 真崎康博B
33
アナターゼ酸化チタンに吸着したペンタセンの高解像度原子間力顕微鏡解析
物材機構, JSTさきがけ
清水智子, Oscar Custance
34
Ag(110)表面上における非平面ジベンゾクリセン分子のペアリング配列
横浜市大生命ナノ
籾山大樹, 横山崇
35
エレクトロスプレー法によってAu(111)上に蒸着した生体分子のSTM観察
横浜市大院生命ナノ
寺崎航平, 横山崇
36
表面敏感微小角入射X線散乱を用いたポリメタクリル酸メチル樹脂(PMMA)膜のガラス転移現象の評価
関学大院理工
鳴川啓補, 高橋功
37
Auger電子回折分光法で明らかにするマグネタイトの表面結晶構造
奈良先端大物質創成, JASRIA
橋本由介, 田口宗孝, 松井文彦, 松田博之, 松下智裕A, 大門寛
38
MoS2(0001)表面ナノアイランドでのフォノン潤滑
愛知教育大, 電気通信大A, 東大B
和田範之, 石川誠, 鈴木勝A, 佐々木成朗A, 塩見淳一郎B, 志賀拓磨B, 三浦浩治
39
全反射高速陽電子回折法によるSiC上Liインターカレーション2層グラフェンの構造解析
東大理, KEK物構研A, 原子力機構先端基礎研B
遠藤由大, 望月出海A, 深谷有喜B, 高山あかり, 兵頭俊夫A, 長谷川修司
40
反応物が不純物置換グラフェン担持白金触媒の脱離・拡散特性に与える影響
北大院工
長谷川瞬, 國貞雄治, 坂口紀史
41
鉄表面におけるグラフェンの吸着と酸化に対する効果
岐大工
尾関康弘, 青木正人
42
第一原理計算に基づくチタニアナノシートの欠陥構造と電子状態
熊大院自然
内田祐一, 原正大, 船津麻美, 下條冬樹
43
ドープダイヤモンドC(100)表面からの電界電子放出の時間依存第一原理計算
東理大理, デンソー基礎研A
篠崎友樹, 萩原聡, 森岡直也A, 木村裕治A, 渡辺一之
44
金表面のナノすべり摩擦の温度変化II
電通大基盤理工, 愛教大物理領域A
笠原奈央, 小林卓也, 谷口淳子, 鈴木勝, 佐々木成朗, 石川誠A, 三浦浩治A
45
音叉型水晶振動子によるフラーレン蒸着膜上のナノすべり測定
電通大基盤理工学専攻, 愛教大物理領域A
吉川由華, 鈴木達朗, 谷口淳子, 鈴木勝, 佐々木成朗, 石川誠A, 三浦浩治A
46
電子入射単原子層の時間分解電子励起ダイナミクスシミュレーション
東理大理
上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之
47
磁化の面内2成分検出可能なスピン偏極STM用磁性探針の開発
北大理
佐藤佑樹, 草薙一輝, 朴鎮佑, 小川義展, 中澤昌宏, 松山秀生
48
W(110)表面清浄化のためのUHV対応挿入式試料加熱機構
北大理
朴鎭佑, 佐藤佑樹, 草薙一輝, 小川義展, 中澤昌宏, 松山秀生
49
窒素飽和吸着Cu(001)面上Fe原子層成長膜の磁気光学測定
東大物性研A, NHK放送技研B
河村紀一A, B, 小森文夫B
50
鉄ナノコンタクトに低温吸着した水素が示す2レベル近藤状態
九大院工, 東工大理工A
梶原裕太, 高田弘樹, 家永紘一郎A, 稲垣祐次, 河江達也
51
ナノコンタクトで生成される非平衡フォノンに誘起された金属中水素の拡散
九州大院工, 東工大理A, 金沢大教育B, 九州大院総理工C
高田弘樹, 家永紘一郎A, モハメドサイフルイスラム, 稲垣祐次, 辻井宏之B, 橋爪健一C, 河江達也
52
Nb中の水素吸蔵現象におけるセルフトラップの第一原理計算
福岡工大情工
西堂光樹, 中川朋奈, 丸山勲
53
スピン偏極水素原子ビームの開発:スピン偏極率測定
東大生研
小倉正平, 福谷克之
54
W(111)のスピン偏極二重交差バンドの観測
広島大理, 広島大放射光科学研究セA
松田旭央, 宮本幸治A, 奥田太一A, Awabaikeli RousuliA, 佐藤仁A, 木村昭夫
55
トポロジカル絶縁体/磁性絶縁体超薄膜ヘテロ接合の電子状態:膜厚依存性
東工大理
奥山裕磨, 平原徹
56
ハーフホイスラー化合物薄膜の電子状態と熱電効果の第一原理計算
金沢大数物, 金沢大院自然A
石井史之, 見波将A, 澤端日華瑠A, 水田耀ピエールA
57
グラフェンに吸着した鉛フタロシアニンの第一原理計算
阪大院工
澤田寛之, Sasfan Arman Wella, 濱本雄治, 稲垣耕司, 濱田幾太郎, 森川良忠
58
グラファイト表面のモアレ構造部分におけるdz/dVスペクトル測定
東工大理, 東工大物質理工A
石綿慈, 山崎詩郎, 中辻寛A, 平山博之
59
酸化チタンナノシートの水中AFM観察
熊大院自然, 熊大院先端A
宮本慎也, 成尾友佑, 船津麻美A, 原正大A
60
グラフェン/SiCの輸送特性:基板との相互作用の効果
東大理, 東北大通研A
高山あかり, 遠藤由大, A. 金觀洙A, 朴君昊A, 遠藤則史A, 保原麗, 吹留博一A, 末光眞希A, 長谷川修司
61
化学剥離酸化マンガンナノシートのXMCD測定
熊大院自然, 広大放射光A, 熊大院先端B
成尾友佑, 高木健誠, 沢田正博A, 生天目博文A, 谷口雅樹A, 船津麻美B, 原正大B
62
酸化チタンナノシートにおけるインピーダンスの湿度依存性
熊大院自然, 熊大院先端A
黒田悠介, 成尾友佑, 船津麻美A, 原正大A
63
有機分子の基板上凝集反応に基づくナノカーボンシート形成の試み
情報通信研究機構, 広大先端物質A
田中秀吉, 富成征弘, 鈴木仁A
64
グラフェンおよびシリセンにおけるディラックコーンの出現:群論に基づく解析
金沢大自然, 金沢大数物A
見波将, 斎藤峯雄A

22日 E31会場 22aE31 9:00〜13:00

領域3,領域9合同
表面・界面磁性

1
高分解能スピン分解光電子分光によるハーフメタルCrO2のスピン脱偏極の観測
岡山大院自然A, 岡山大基礎研B, 東大物性研C
藤原弘和A, 寺嶋健成B, 砂川正典A, 尾形誠A, 矢治光一郎C, 原沢あゆみC, 辛埴C, 脇田高徳B, 村岡祐治A, B, 横谷尚睦A, B
2
Fermi Surface Manipulation by External Magnetic Field for a Prototypical Ferromagnet : Approaches from Angle Resolved Photoemission and Band Calculation
阪大産研, Peter Grünberg Institut PGI, Forschungszentrum Jülich, GermanyA, Fac. Phys. Appl. Computer Sci., AGH Univ. Sci. Tech. Kraków, PolandB, Dep. Chem, Ludwig-Maximilians-Univ. München, GermanyC, New Tech.-Res. Centre, Univ.West Bohemia, Pilsen, Czech RepublicD
菅滋正A, E MłyńczakA, M EschbachA, S BorekC, J MinárC, D, J BraunC, I AguileraA, G BihlmayerA, S DöringA, M GehlmannA, P GospodaričA, L PlucinskiA, S BlügelA, H EbertC, and C. M SchneiderA
3
磁性ナノクラスターと磁気結合した窒化鉄単原子層膜の電子・磁気状態
東大物性研, 分子研A, 総研大B
宮町俊生, 高橋文雄, 中島脩平, 高木康多A, B, 魚住まどかA, B, 横山利彦A, B, 小森文夫
4
吸着分子における磁気異方性と近藤効果の競合の理論解析
東大工, 東大新領域A, 物材機構B
南谷英美, 平岡諒一A, 荒船竜一B, 塚原規志A, 渡邉聡, 川合眞紀A, 高木紀明A
5
Numerical study of large magneto-optical Kerr effect at Fe/insulator interfaces
ASRC JAEA, IMR Tohoku Univ.A
Bo Gu, Saburo TakahashiA, Sadamichi Maekawa
6
反強磁性間接交換結合した二倍周期Fe1/Au/Fe2/Au(001)多層膜のFe層共鳴X線磁気散乱ヒステリシス
奈良先端大物質, 若狭湾エネ研A
細糸信好, 山岸隆一郎A, 花坂周邦, 福井一生, 甘崎晋次郎
7
界面制御されたMn/Fe超薄膜ヘテロ構造の構造と磁性
東大物性研, 分子研A, 総研大B
中島脩平, 宮町俊生, 服部卓磨, 高木康多A, B, 横山利彦A, B, 小森文夫

休憩 (10:45〜11:00)

8
第一原理計算による磁性界面の局所磁気異方性解析
東工大物質理工
中村将吾, 相内優太, 合田義弘
9
第一原理計算によるFe/BiFeO3(001)ヘテロ界面における電気磁気結合係数の評価
東工大物質理工
藤田一大, 合田義弘
10
Coナノ構造におけるスピン依存散乱
東北大多元研A, 東北大AIMRB
岡博文A, B, 米田忠弘A
11
スピン模型による局所磁化反転時におけるエネルギー障壁の外場依存性II
物材機構A, 東大理B, 東大物性研C, 産総研D, 東北大工E, ESICMMF
栂裕太A, F, 土居抄太郎C, F, 松本宗久C, F, 宮下精二B, F, 赤井久純C, F, 三宅隆D, F, 佐久間昭正E
12
ネオジム磁石の原子論的モデルによる磁化反転ダイナミクス
物材機構, 東大院理A
西野正理, 檜原太一A, 宮下精二A
13
ネオジム磁石中の双極子相互作用の理論解析
東大院理, 物材機構A
檜原太一, 西野正理A, 栂裕太A, 宮下精二
14
第一原理計算によるGa添加型Nd-Fe-B磁石の界面磁気異方性解析
東工大物質理工A, 東大院理B, 東大物性研C, 物材機構ESICMMD
立津慶幸A, 常行真司B, C, 合田義弘A, D
15
第一原理計算によるネオジム磁石の結晶粒界相のシミュレーション (II)
東工大物質理工
寺澤麻子, 合田義弘

22日 J17会場 22aJ17 9:00〜12:00

領域9(10番目のみ領域7と合同)
グラフェン・ナノシート

1
ナフタレンを担持したグラフェンの鏡像状態の理論的研究
阪大院工
濱本雄治, Sasfan Arman Wella, 澤田寛之, 川口奈々, Fahdzi Muttaqien, 稲垣耕司, 濱田幾太郎, 森川良忠
2
グラフェンにおけるFeN4活性サイトに関する第一原理電子構造計算
岩手大理工, 東北大サイバーA
鹿岩潤, 青山修也, 山下毅A, 長谷川正之, 西館数芽
3
多層原子膜間に作用するCasimir力
兵県大工
乾徳夫
4
CaSi2Fx化合物内の2層シリセンの構造多形
産総研, RMIT大学A, 豊田中研B
森下徹也, Michelle SpencerA, 八百川律子B, 中野秀之B
5
グラフェンの酸化過程における電子状態研究
立命館大理工, 量子機構A
高岡航大, 圓谷志郎A, 境誠司A, 光原圭, 滝沢優
6
金属表面上における酸化グラフェンの熱安定性
弘前大理工, 東大新領域A
渡邊慶太郎, 小幡誠司A, 斉木幸一朗A, 藤川安仁

休憩 (10:30〜10:45)

7
(招待講演)SiCステップ構造とグラフェン成長機構の関わり
名古屋大学未来材料・システム研究所
楠美智子
8
グラフェン/SiC界面における(1×1)-Sn構造
九大院工, 東大物性研A, 産総研B, 東工大総合理工C, 高エネ研D
林真吾, 梶原隆司, Anton Visikovskiy, 飯盛拓嗣A, 白澤徹郎B, 中辻寛C, 宮町俊夫A, 中島脩平A, 間瀬一彦D, 小森文夫A, 田中悟
9
h-BN/Rh(111)へのSn,Geインターカレーションによる平坦化
東工大理, チュリッヒ大A, 分子研UVSORB
杉山裕弥, 奥山裕磨, Bernard CarloA, 出田真一郎B, 田中清尚B, Greber ThomasA, 平原徹
10
6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子-フォノン相互作用
東大物性研, 東工大理学院A, 東工大総理工B, 高エネ研C, 九大院工D
飯盛拓嗣, 家永紘一郎A, 宮町俊生, 中島脩平, 高橋文雄, 矢治光一郎, 中辻寛B, 間瀬一彦C, 福間洸平D, 林真吾D, 梶原隆司D, Anton VisikovsliyD, 田中悟D, 小森文夫

22日 N12会場 22aN12 9:00〜12:30

領域9
表面界面ダイナミクス,水素ダイナミクス

1
原子間力顕微鏡によるCu(110)表面上の水単分子層の高分解能観察
東大新領域
塩足亮隼, 杉本宜昭
2
Effect of Photo irradiation on H2O/Cu junction
Tokyo Tech
Yu Li, Satoshi Kaneko, Manabu Kiguchi
3
Zn修飾Cuモデル触媒におけるギ酸の吸着と表面反応:ステップとZnの役割
東大物性研
塩澤佑一朗, 小板谷貴典, 向井孝三, 吉本真也, 吉信淳
4
HCHO dissociation on Pt(111) and Rh(111)
Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col., Osaka Univ.A, Univ. of TokyoB
Bhume Chantaramolee, Susan Meñez Aspera, Ryan Lacdao Arevalo, Hiroshi NakanishiA, Hideaki KasaiA, B
5
Rh代替NO還元触媒
明石高専A, 阪大B
中西寛A, 笠井秀明A, B
6
NO初期吸着Si(001)2×1表面のSTM観察
奈良先端大
楊昊宇, 谷本慶, 服部賢, 大門寛
7
赤外吸収による水素終端Si(110)-(1×1)表面のH-Si伸縮振動モードの解析II
東北大院理, 東大物性研A
河野純子, 川本絵里奈, 江口豊明, 吉信淳A, 須藤彰三

休憩 (10:45〜11:00)

8
水素終端したSrTiO3表面の2次元伝導層の輸送特性
東大理, KEK物構研A, 東大物性研B
武内康範, 秋山了太, 保原麗, 高山あかり, 一ノ倉聖, 湯川龍A, 松田巌B, 長谷川修司
9
光脱離を用いた分子状化学吸着水素分子の量子回転状態解析
東大生産研
Ivanov Dmitry, 大野哲, 福谷克之
10
H2 nuclear spin isomers transition on a stepped metal surface
Osaka Univ.A, Nat’l. Inst. of Tech.B, The Univ. of TokyoC
Arguelles Elvis F.A, Kasai HideakiB, C, Fukutani KatsuyukiC, Dino Wilson A.A
11
SrTiO3(001)におけるH2の分子吸着、束縛回転、および回転状態選別
阪大院工A, 阪大院工アトミックデザイン研究セB, 明石高専C, 東大生研D, 川崎重工E
清水康司A, Wilson Agerico DiñoA, B, 中西寛C, 笠井秀明A, C, D, 福谷克之D, 矢嶋理子E
12
Pd(110)の水素脱離過程解明に向けたチャネリングHERDA装置開発の現状
筑波大数理
菊田純市, 関場大一郎
13
ナフィオン(Nafion®) 117、スルホン化ポリエーテルエーテルケトン(SPEEK)及び酸化グラフェン・スルホン化ポリエーテルエーテルケトン(GO-SPEEK)におけるプロトンダイナミクス・形態学的効果
FCI-UKMA, 阪大工B, 阪大CAMTC, FST-UKMD, FEBE-UKME, 明石高専F
Leong Jun XingA, B, Diño Wilson AgericoB, C, Ahmad AzizanA, D, Daud Wan Ramli WanA, E, 笠井秀明B, F

22日 J17会場 22pJ17 13:30〜17:20

領域9,領域11合同シンポジウム
主題:理論による表面・界面・ナノ構造の微視的構造と物性の予測:現状と展望

1
(シンポジウム講演)はじめに
東大院工
渡邉聡
2
(シンポジウム講演)第一原理計算による内殻光電子分光における結合エネルギーの絶対値計算
東大物性研
尾崎泰助
3
(シンポジウム講演)ファン・デル・ワールス力を考慮した密度汎関数理論:表面・界面の高精度計算に向けて
阪大院工
濱田幾太郎
4
(シンポジウム講演)金属表面上の物理吸着水素分子とその回転状態
北大院工
國貞雄治

休憩 (15:05〜15:20)

5
(シンポジウム講演)機械学習を利用した粒界構造の効率的探索
東大生研
溝口照康
6
(シンポジウム講演)大規模電子状態計算と機械学習の融合による有機材料研究
鳥取大院工
星健夫
7
(シンポジウム講演)第一原理計算によるデバイス用界面の電子状態とキャリア伝導解析
筑波大計算科学セ
小野倫也
8
(シンポジウム講演)パイロクロア構造遷移金属酸化物の磁壁伝導
東大院工
山地洋平

23日 B32会場 23aB32 9:15〜12:00

領域4(全て領域7と合同。6番目のみ領域7、領域9と合同)
グラフェン関連
(輸送現象および分光)

1
グラフェンのトポロジカル欠陥における電子の有効理論
東北大理, 阪大理A
林智宏, 越野幹人A
2
ハニカム格子模型によるディラック電子系の電磁応答
東大理
寒川崇生, 正木祐輔
3
Applications of negative refraction in bilayer graphene
Univ. of TokyoA, Univ. of LeicesterB, AISTC
P. A. MaksymA, B and H. AokiC, A
4
Thermal carriers in disordered graphene with hexagonal-Boron Nitride and multi-layer graphene
Grad. Sch. of Engin., Chiba Univ.A, Grad. Inst. of Appl. Phys., Nat. Taiwan Univ.B, Sch. of Electronic & Electrical Engin.C, Dept. of Electrophys., Nat. Chiayi Univ.D
Chuang ChiashainA, Mineharu M.A, Matsunaga M.A, Liu C.-W.B, Wu B.-Y.B, Kim G.-H.C, Lin L.-H.D, Ochiai Y.A, Liang C.-T.B, Aoki N.A
5
2層グラフェンにおける電場による閉じ込め効果の発現
千葉大院工, 物材機構A, 成均館大B, アリゾナ州立大C, バッファロー大D
松本直樹, 峰晴正彰, 荒川友貴, 松永正広, 渡邊賢司A, 谷口尚A, G-H.キムB, D.K.フェリーC, J.P.バードD, 青木伸之

休憩 (10:30〜10:45)

6
グラフェンへの分子吸着における高ゲート電圧印加の効果
法政大生命科学
梅原太一, 石黒康志, 高井和之
7
劈開グラフェン試料へのジグザグ・ナノピット形成とその伝導度測定
東大院理A, 東大低温セB
喜田和馬A, 松井朋裕A, AAndre E. B. AmendA, 福山寛A, B
8
白金・ビスマステルル微粒子修飾グラフェンのスピン軌道相互作用
青学大理工A, 東大物性研B
工藤浩章A, 峰彰秀A, 難波拓A, 田村涼A, 初田雅博A, 大畠智恵A, 春山純志A, B
9
アルカリ金属吸着グラフェンの電子格子相互作用:高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC
佐藤基樹A, 菅原克明B, C, 佐藤宇史A, C, 高橋隆A, B, C
10
スピン偏極陽電子ビームによるグラフェン・窒化ボロン/コバルト系のスピン偏極状態の観測
量研機構
河裾厚男, 前川雅樹, 和田健, 宮下敦巳, 圓谷志郎, 境誠司

23日 N12会場 23aN12 9:00〜12:30

領域9
結晶成長

1
有機半導体薄膜の結晶成長に及ぼすアルキル鎖長の効果
岩手大理工, 高輝度光科学研究セA
吉本則之, 三浦慎平, 葛原大軌, 菊池護, 小金澤智之A, 廣沢一郎A
2
グラフェン化学気相成長過程の微視的解析II.核形成機構
東大新領域, 東大理A
斉木幸一朗, 平良隆信A, 小幡誠司
3
Surface melting of polycrystalline ice
ILTS, Hokkaido Univ.
Jialu Chen, Ken Nagashima, Ken-ichiro Murata, Gen Sazaki
4
気相成長によって氷内部に埋め込まれた塩酸液滴包有物
北大低温研
長嶋剣, 佐崎元, 羽馬哲也, 村田憲一郎, 古川義純
5
高分解光学顕微鏡による結晶-融液界面のその場観察
北大低温研
村田憲一郎, 佐崎元
6
DNAに被覆されたナノ粒子による二成分系での三次元構造の形成
金大自然, 立命館大理工A, 金大IMCB
河崎顕応, 勝野弘康A, 佐藤正英B
7
DNA被覆ナノ粒子による二成分系での二次元構造形成への粒子間相互作用の効果
金大自然, 立命館大理工A, 金大IMCB
田中慶太, 勝野弘康A, 佐藤正英B

休憩 (10:45〜11:00)

8
データ同化に基づく大規模フェーズフィールドモデルを用いた粒成長予測
東大地震研, 東大工A, 東大先端研B
伊藤伸一, 長尾大道, 糟谷正A, 井上純哉B
9
赤外線集中加熱条件の育成結晶および成長界面形状に対する効果
山梨大院総研
綿打敏司, ホサインエムディー ムクタール, 長尾雅則, 田中功
10
非平衡定常状態におけるファセット化したマクロステップI:ステップ・ドロプレット・ゾーン
大阪電通大工
阿久津典子
11
非平衡定常状態におけるファセット化したマクロステップII:ステップ・ファセティング・ゾーン
大阪電通大工
阿久津典子
12
不純物による微斜面上のステップの不安定化-不純物の蒸発の効果-
金大IMC
佐藤正英
13
結晶粉砕実験における鏡像体過剰率と結晶サイズ分布
立命館大理工, 愛工大自然A
勝野弘康, 上羽牧夫A

23日 N13会場 23aN13 9:00〜11:45

領域9
表面界面電子物性

1
大気圧下で動作する光電子分光測定装置の開発
分子研A, 総研大B, 電通大C, JASRI/SPring-8D, 名大物質国際セE
高木康多A, B, 中村高広A, Yu LiweiA, Suwilai ChaveanghongA, 坂田智裕C, 関澤央輝D, 宇留賀朋哉C, D, 唯美津木E, 岩澤康裕C, 横山利彦A, B
2
光電子放出強度の非対称性について
お茶の水大理
小林功佳
3
貴金属(111)表面電子状態のスピン軌道エンタングルメントとlaser-SARPES
東大物性研, Weizmann Inst. of Sci.A
矢治光一郎, 原沢あゆみ, 黒田健太, Binghai YanA, 小森文夫, 辛埴
4
Raman and fluorescence components in soft X-ray resonance inelastic scattering on LaAlO3/SrTiO3 heterostructures
阪大産研, PGI-6, Forschungszentrum JuelichA, 阪大基礎工B, 東大物性研C, Röntgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Physik. Inst. Univ. Würzburg, GermanyD
菅滋正A, 藤原秀典B, 宮脇淳C, 原田慈久C, 関山明B, F PfaffD, G BernerD, O KirilmazD, M SingD, R ClaessenD
5
グラフェンに担持したPt原子およびクラスターの電子状態:内殻光電子分光による研究
東大物性研, 北大工A
向井孝三, 塩澤佑一郎, 芳倉佑樹, 宮原亮介, 吉本真也, 山崎憲慈A, 前原洋祐A, 郷原一寿A, 吉信淳
6
Rutile TiO2(110)上に担持したCuナノ粒子のサイズと電子状態分析
立命館大理工
青木駿尭, 光原圭, 滝沢優

休憩 (10:30〜10:45)

7
マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いた単一表面原子領域の電場分布形成と吸着構造に関する研究
阪市大院工
太田康, 服部悠将, 小林中
8
局所格子ひずみによる窒化鉄単原子層膜の電子状態変化
東大物性研
服部卓磨, 飯盛拓嗣, 宮町俊生, 小森文夫
9
PdRuRh Ternary Metal Alloy as NO Reduction Catalyst: A DFT-based First Principles Analysis
Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col., Osaka Univ.A, Univ. of TokyoB
Susan Meñez Aspera, Ryan Arevalo, Bhume Chantaramolee, Hiroshi Nakanishi, and Hideaki Kasai
10
Ethylene Decomposition on Different Transition Metal Catalyst
De La Salle Univ.A, Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col.B, Osaka Univ.C, Univ. of TokyoD
Carlo Angelo PeloteniaA, B, Susan AsperaB, Hiroshi NakanishiB, C, Melanie DavidA, Hideaki KasaiB, C, D

23日 C20会場 23pC20 13:30〜16:50

領域7,領域4,領域9合同シンポジウム
主題:遷移金属カルコゲナイド2次元結晶の新展開 New development in transition metal dichalcogenides

1
(シンポジウム講演)はじめに Introduction
東理大総合研究院 Tokyo Univ. of Sci.
小鍋哲 Satoru Konabe
2
(シンポジウム講演)機能性2次元カルコゲナイドの成長と評価 Growth and characterization of functional 2D chalcogenides
首都大理工 Tokyo Metropolitan Univ.
宮田耕充 Yasumitsu Miyata
3
(シンポジウム講演)2次元カルコゲナイドのポリモルフィズムと構造物性 Polymorphic structures and properties of 2D materials
産総研ナノ材料 AIST
末永和知 Kazutomo Suenaga
4
(シンポジウム講演)2次元カルコゲナイドの励起子ホール効果 Symmetry protected type II Dirac fermions in transition metal dichalcogenides
東大量子相(理論) QPEC, Univ. of Tokyo
Mohammad Saeed Bahramy

休憩 (15:05〜15:20)

5
(シンポジウム講演)2次元カルコゲナイドの励起子ホール効果 Excitonic Hall Effect in 2D chalcogenide
東大量子相(実験) QPEC, Univ. of Tokyo
岩佐義宏 Yoshihiro Iwasa
6
(シンポジウム講演)2次元遷移金属カルコゲナイド・人工ヘテロ構造の光物性  Photophysics in 2D transition metal dichalcogenide and its artificial hetero-structure
京大エネ研 Kyoto Univ.
松田一成 Kazunari Matsuda
7
(シンポジウム講演)2次元カルコゲナイドの電流励起発光 Electroluminescence in 2D chalcogenide
名大工 Nagoya Univ.
竹延大志 Taishi Takenobu

23日 N12会場 23pN12 13:30〜16:00

領域9
表面界面構造

1
Atomic structure of the low temperature 1.5x1.5 phase of CO/Cu(111) revealed by STM and DFT
千葉大融合理工学府物質科学コース
クリューガー・ピーター, 山田哲史, ナズリック・ナナ, 山田豊和
2
ドナー・アクセプター単分子積層によって構築した分子ダイオード構造のSTM/STS観察
横市大院生命ナノ
津村ゆり子, 塚田秀行, 横山崇
3
Pt(111)表面上のBaO薄膜へのTi蒸着と構造解析
名大工
杉浦諒一, 堀場圭人, 山田智明, 柚原淳司
4
Si(111)-(√7×√3)-In の STM/STS と DFT
物材機構
吉澤俊介, 鷺坂恵介, 藤田大介, 内橋隆

休憩 (14:30〜14:45)

5
Ag島状成長過程における量子サイズ効果の発現 I:蒸着速度依存性
東北大院理, 日本電子A, ポーランド科学アカデミーB, ポズナン工大C
姜正敏, 江口豊明, 川本絵里奈, 松下ステファン悠, 芳賀健也, 金川詩野, Andrzej WawroA, Ryszard CzajkaB, 加藤大樹C, 須藤彰三
6
Ag島状成長過程における量子サイズ効果の発現 II:蒸着量依存性
東北大院理
永田龍太郎, 姜正敏, 芳賀健也, 江口豊明, 須藤彰三
7
水素終端Si(110)-(1×1)表面の形態と構造
東北大院理
福井邦虎, 川本絵里奈, 芳賀健也, 江口豊明, 須藤彰三
8
Si(001)基板上のβ-FeSi2(100)ナノカーペットの面内歪み評価
奈良先端大物質創成, 阪大産研A
竹本昌平, 西田翔太, 楊昊宇, 染田政明, 服部賢, 大門寛, 服部梓A, 田中秀和A
9
Si(001)基板上のβ-FeSi2(100)ナノカーペットのSTM観察における面直変化
奈良先端大物質創成
服部賢, 染田政明, 広田望, 太田啓介, 竹本昌平, 楊昊宇, 谷本慶, 大門寛

23日 N13会場 23pN13 13:30〜16:15

領域9
表面界面電子物性

1
The role of disorder on the density of states of Au-induced chains on Si(001)
Dept. of Chemistry, Grad. Sch.of Sci., Kyoto Univ.
P. Thomas, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga
2
In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造と相転移
京大院理
寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
3
In/Si(111)-4×1表面上のBi原子吸着に関する第一原理計算
東工大物質理工
田中友規, 合田義弘
4
Si(110)-(1×1)表面の電子バンド構造:高分解能角度分解光電子分光法と第一原理計算
東北大院理A, 東大理B, 東理大理C, 東北大AIMRD
松下ステファン悠A, 高山あかりB, 川本絵里奈A, 胡春平C, 渡辺一之C, 高橋隆A, D, 須藤彰三A
5
2D triangular Sn and Pb metallic layers on SiC(0001) and at graphene/SiC(0001) interface
Kyushu Univ.A, Univ. of TokyoB
Anton VisikovskiyA, Shingo HayashiA, Takashi KajiwaraA, Fumio KomoriB, Satoru TanakaA
6
Symmetry-breaking induced band-splitting in GaAs thin film by first-principles calculations
Univ. of Fukui
Mary Clare Escano, Masahiko Tani

休憩 (15:00〜15:15)

7
Fe3O4(111)表面の水素誘起電子状態
東大生研, 京都工芸繊維大A
浅川寛太, 長塚直樹, 三浦良雄A, 福谷克之
8
二光子光電子分光によるルチル型TiO2(110)表面の電子励起状態観測
東大生研
大橋由季, 長塚直樹, 浅川寛太, 桜井敦教, 小倉正平, 芦原聡, 福谷克之
9
二光子光電子分光によるアナターゼ型二酸化チタン(101)表面の欠陥誘起電子状態
東大生研
長塚直樹, 大橋由季, 櫻井淳教, 芦原聡, 福谷克之
10
層状化合物TiS2(0001)へのスズインターカレートと電子状態
名大工, あいちSRA
磯部直樹, 西埜和樹, 柚原淳司, 仲武昌史A

24日 J17会場 24aJ17 9:00〜11:00

領域9
表面界面構造

1
全反射高速陽電子回折によるアナターゼTiO2(001)(1×4)表面の構造解析
高エネ研機構, 原子力機構先端基礎A, 量子機構B
望月出海, 湯川龍, 深谷有喜A, 和田健B, 簔原誠人, 組頭広志, 一宮彪彦, 兵頭俊夫
2
成長中の表面モフォロジーをRHEED強度から高速に位相回復する方法
東大生研
川村隆明
3
グラファイト表面に対するRHEED励起オージェ強度
大同大工, 名大工A, 東北大多元研B, 豊田工大C
堀尾吉已, 山崎涼, 柚原淳司A, 高桑雄二B, 吉村雅満C
4
リソグラフィー技術を用いたSi傾斜超構造表面の創製
阪大産研A, JST-さきがけB, 奈良先端大物質創成C
服部梓A, B, 竹本昌平C, 服部賢C, 大門寛C, 田中秀和A

休憩 (10:00〜10:15)

5
リアルタイム透過X線回折によるSi(111)-7×7上のビスマス薄膜成長と界面構造の観察
高輝度セ
田尻寛男
6
第一原理電子状態計算による二次元AB2構造の探索
東大物性研
尾崎泰助, Yung-Ting Lee
7
Li3PO4/Au(111)界面近傍におけるLiイオン分布と電場の影響
東大工
清水康司, Wei Liu, 渡邉聡
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